H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NAFR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G6NAFR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $60,00 | $0,12 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Encapsulamento | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |