H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix e H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Ativo
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $65,63 $84,97
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organização da memória 2G x 8 —
Taxa de dados 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Encapsulamento FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-96
Temperatura de operação 0C to +95C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Process Node 1z nm (non-EUV) —
Die Bit Density 0.296 Gb/mm2 —
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) 25.6 GB/s at DDR4-3200 —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Status RoHS Compliant Compliant
Base Part Number Family H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) —
Speed Grade Suffix -XNC (0~95C commercial) —
Tamanho da memória — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Interface — Parallel
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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