IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon e IAUC120N04S6L012ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $1,21
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Delivery Form — Tape & Reel

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