IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon e IAUCN04S6N009TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $1,71
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6 trench MOSFET
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fichas técnicas e recursos

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