IAUC100N04S6N022ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6N022ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $2,21
Technology OptiMOS 6, N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) 2.2 mOhm —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualification AEC-Q100 (IAUC family) AEC-Q101 qualified
Contagem de pinos 8 —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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