IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6N028ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 40V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 400 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 2.8 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 1.5 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g in nC] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 62 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Encapsulamento PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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