IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S6N013TATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S6N013TATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,66 | $0,72 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 230 A at T<sub>C</sub> | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 133 W at T<sub>C</sub> | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 2.6 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.08 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.7 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 51 pF | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulamento | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |