IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L005ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7L005ATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,85 | $0,72 |
| Technology | OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 430 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) | [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max | 0.52 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D) | 179 W (T_C) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |