IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L006ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $0,95
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-43
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 5 (trench)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Status RoHS Compliant —
Contagem de pinos 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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