IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N006TATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,66 $0,82
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 425 A —
Power Dissipation (P_D, T_C) 205 W —
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) 0.63 mΩ —
Technology OptiMOS 7 (shielded-gate trench) —
Encapsulamento PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] —
Automotive Grade Yes (Infineon automotive MOSFET line) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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