IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,21 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Encapsulamento PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de montagem Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Fichas técnicas e recursos

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