IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N024HATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 40 V —
Configuration Dual N-Channel (independent) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 100 A —
On-Resistance R_DS(on) typ 2.46 mΩ at V_GS = 10 V —
On-Resistance R_DS(on) max [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] —
Maximum Power Dissipation (Tc) 75 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL]
Packing Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Encapsulamento / Caixa — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Fichas técnicas e recursos

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