IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUZN10S7L289ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon e IAUZN10S7L289ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L110TATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,08 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level Trench MOSFET (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Encapsulamento PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS-7
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 27 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) — 45 W
On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) — 28.9 mΩ
Automotive Grade — AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (Tj)
Contagem de pinos — 8
RoHS Compliance — Yes

Fichas técnicas e recursos

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