IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon e IAUZ30N08S5N186ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C (automotive)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Fichas técnicas e recursos

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