IPB020N10N5ATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB020N10N5ATMA1 por Infineon e BSC050NE2LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB020N10N5ATMA1 | BSC050NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,30 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB020N10N5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 25V (trench) |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | — |
| Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) | 176 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 (D2PAK-3) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | — | 39 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5 mOhm |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 28 W |