IPB025N10N3GATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB025N10N3GATMA1 por Infineon e IPB039N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB025N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,74 $2,28
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 160 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

Fichas técnicas e recursos

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