IPB038N12N3GATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB038N12N3GATMA1 por Infineon e IPB027N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB038N12N3GATMA1 | IPB027N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,78 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] |
| Encapsulamento | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] |