IPD031N03LGATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD031N03LGATMA1 por Infineon e BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD031N03LGATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $0,74
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
Temperatura de operação -55 °C to +175 °C (junction) —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK-2) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C

Fichas técnicas e recursos

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