IPD082N10N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD082N10N3GATMA1 por Infineon e BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ AtivoInfineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPD082N10N3GATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,14 | $0,65 |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55°C to +175°C | — |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C |
| Encapsulamento | — | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes (per Infineon product page) |