IPD35N10S3L26ATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA1 por Infineon e BSC050N03LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD35N10S3L26ATMA1 BSC050N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,81 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD35N10S3L26ATMA1 BSC050N03LSGATMA1
Technology OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 26 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C 71 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Green product (halogen-free) —
Typical Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Channel Type — N-Channel
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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