IPD50N10S3L16ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N10S3L16ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T OptiMOS 3
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Fichas técnicas e recursos

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