IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD60R600PFD7SAUMA1 por Infineon e IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ AtivoInfineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPD60R600PFD7SAUMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,45 | $5,19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS PFD7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 6 A (Tc) | — |
| R_DS(on) Max | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 8.5 nC | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 8 pF @ 400 V | — |
| Power Dissipation (P_D) | 31 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55°C to +150°C (Tj) | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Reel Quantity | 2500 | — |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | — | 227 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |