IPD80R600P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon e IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD80R600P7ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,92 | $0,65 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Número de pinos | — | 3 |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |