IPG20N10S4L22AATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N10S4L22AATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N10S4L22AATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $0,82
FET Type Dual N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 20 A —
On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 22 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 60 W —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Lead Configuration Wettable Flank —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS T2 Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Temperatura de operação -55°C to +175°C —
Status RoHS Compliant —
Channel Count 2 (dual independent) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

Fichas técnicas e recursos

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