IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R105P7AUMA1 por Infineon e IPL60R065C7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R105P7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $2,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS C7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 °C to +150 °C (T_J)
Encapsulamento PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant with Exemption
Livre de halogênio Yes —
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
Encapsulamento / Caixa — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

Fichas técnicas e recursos

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