IPP200N15N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP200N15N3GXKSA1 por Infineon e IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP200N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,79 $1,92
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID max, Tc) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Total Power Dissipation (Ptot max, Tc=25C) 150 W —
Technology OptiMOS 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Channel Type N-Channel —
Encapsulamento TO-220-3 (PG-TO220-3), through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL Not Applicable (through-hole) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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