IPT030N12N3GATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT030N12N3GATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT030N12N3GATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,78 $0,41
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 237 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W (Ta) —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W (Tc) —
Technology OptiMOS 3 Trench MOSFET, silicon
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (per manufacturer datasheet) —
Status RoHS Compliant with Exemption —
Channel Mode Enhancement —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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