IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE036N08NM6CGATMA1 por Infineon e IQE036N08NM6CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |