IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE036N08NM6CGSCATMA1 por Infineon e IQE008N03LM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE008N03LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,88 | $0,94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento / Caixa | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 253 A |
| On-Resistance RDS(on) Typical | — | 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 89 W |
| Encapsulamento | — | PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V (typical MOSFET rating) |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |