IQE050N08NM5CGATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE050N08NM5CGATMA1 por Infineon e BSC019N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQE050N08NM5CGATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,75 $1,78
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Encapsulamento PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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