IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE050N08NM5CGATMA1 por Infineon e IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,75 | $1,21 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 125 W |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Temperatura de operação | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +175C (junction) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |