IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE050N08NM5CGSCATMA1 por Infineon e IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ AtivoInfineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQE050N08NM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,74 | $1,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 99 A | 422 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16 A | 54 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.0 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | 100 W | — |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction, typical) | — |
| Encapsulamento | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant | — |
| Nível MSL | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |