IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH54NE2LM7UCGATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (typical MOSFET range) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fichas técnicas e recursos

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