IRF4905SPBF vs IRF4905PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF4905SPBF por Infineon e IRF4905PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF4905SPBF IRF4905PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $0,95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Encapsulamento D2PAK (TO-263) surface mount TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (IR MOSFET)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) 120 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Status RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification JEDEC standard —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Nível MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

Fichas técnicas e recursos

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