IRF5305STRLPBF vs IRFU5305PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF5305STRLPBF por Infineon e IRFU5305PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRF5305STRLPBF IRFU5305PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,68
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
RDS(on) max at VGS=-10V 60 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) 42 nC (typical)
Maximum Power Dissition at Tc 110 W —
Maximum Power Dissipation at TA 3.8 W —
Encapsulamento TO-263 / D2PAK (surface mount) IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Technology HEXFET (fifth generation), IR MOSFET —
Packaging Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix PBF) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -110 A (pulsed)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 65 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 110 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.36 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 62 °C/W
Avalanche Rated — Yes (EAS rated)
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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