IRF5305STRRPBF vs IRFR5305TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF5305STRRPBF por Infineon e IRFR5305TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF5305STRRPBF IRFR5305TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,32
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação