IRF7313TRPBF vs IRF7342PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7313TRPBF por Infineon e IRF7342PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7313TRPBF IRF7342PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $0,89
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7313TRPBF IRF7342PBF
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 8-pin SOIC (SO-8) surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
Nível MSL 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Configuration — Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Encapsulamento / Caixa — 8-SOIC (SO-8)
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
Status RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Fichas técnicas e recursos

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