IRFB4110PBF vs IRF3007STRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4110PBF por Infineon e IRF3007STRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4110PBF IRF3007STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $0,92
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) —
Technology HEXFET (planar DMOS) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Status RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Lead-Free, PBF suffix)
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 62 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 250 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 12.6 mΩ typical at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC typical
Maximum Power Dissipation (Pd) — 120 W at Tc=25°C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.0 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 40 °C/W
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount
Avalanche Rated — Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax)

Fichas técnicas e recursos

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