IRFB7545PBF vs IPB110P06LMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB7545PBF por Infineon e IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB7545PBF IPB110P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $1,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7545PBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) OptiMOS (trench MOSFET)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A —
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (Through-Hole) —
Tipo de montagem Through Hole (THT) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
Nível MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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