IRFP2907PBF vs IRFP250MPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFP2907PBF por Infineon e IRFP250MPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFP2907PBF IRFP250MPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,45 $2,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP2907PBF IRFP250MPBF
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) Yes
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes Yes
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Encapsulamento / Caixa — TO-247AC (3-pin + tab)
Tipo de montagem — Through Hole
Número de pinos — 3
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — 1 (unlimited)

Fichas técnicas e recursos

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