IRFR1018ETRPBF vs IPD042P03L3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR1018ETRPBF por Infineon e IPD042P03L3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR1018ETRPBF | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,36 | $0,28 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 79 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 8.4 mΩ | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 46 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: Crss] | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 110 W (Tc) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Encapsulamento | TO-252AA (D-Pak) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | OptiMOS™ P (Trench) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | 1 | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -280 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |