IRFR2405TRPBF vs IRFR3806TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR2405TRPBF por Infineon e IRFR3806TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR2405TRPBF IRFR3806TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 22 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Livre de halogênio [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (HEXFET family)
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Encapsulamento / Caixa — TO-252AA (DPAK)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação