IRFR3806TRPBF vs IRFR5305TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR3806TRPBF por Infineon e IRFR5305TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR3806TRPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,52 | $0,32 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| Encapsulamento / Caixa | TO-252AA (DPAK) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| Encapsulamento | — | TO-252AA (DPAK) |
| Nível MSL | — | 1 |
| Status RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |