IRFR4105TRPBF vs IRFR3710ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR4105TRPBF por Infineon e IRFR3710ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR4105TRPBF IRFR3710ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,42
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D at Tc) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) 45 milliohm —
Gate-Source Voltage (V_GS max) 20 V —
Total Gate Charge (Q_G) 22.7 nC —
Power Dissipation (P_D at Tc) 68 W —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Status RoHS Compliant (lead-free, PBF suffix) Compliant
Packaging Type Tape and Reel (TRPBF) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy (E_AS) [DATA_NEEDED: E_AS rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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