IRFZ44NPBF vs IRFR4105TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ44NPBF por Infineon e IRFR4105TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ44NPBF IRFR4105TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,58
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (3-pin + tab) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

Fichas técnicas e recursos

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