IRLB4030PBF vs IRLB4132PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLB4030PBF por Infineon e IRLB4132PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLB4030PBF IRLB4132PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $0,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] —
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-220AB —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (StrongIRFET family) —
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Encapsulamento / Caixa — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

Fichas técnicas e recursos

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