IRLL024NTRPBF vs IRLR024NTRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLL024NTRPBF por Infineon e IRLR024NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLL024NTRPBF | IRLR024NTRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,22 | $0,46 |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | 10 nC (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Encapsulamento | SOT-223 (4-pin) | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (Advanced Process Technology) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 65 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 45 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |