IRLML5103TRPBF vs BSS138NH6327XTSA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLML5103TRPBF por Infineon e BSS138NH6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLML5103TRPBF | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,05 | $0,15 |
| Tipo de transistor | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | — |
| Encapsulamento | Micro3/SOT-23 | PG-SOT-23 (3-pin) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Temperatura de operação | 175 C | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Footprint | SOT-23 | — |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 360 mW |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |
| Packaging | — | Tape and Reel |