IRLR2705TRLPBF vs IRFR1205TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLR2705TRLPBF por Infineon e IRFR1205TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLR2705TRLPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,32 | $0,49 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (HexFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 28 A | 44 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 68 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Nível MSL | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 43.3 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +175C |
| Status RoHS | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |