IRS2004STRPBF vs IR2104STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2004STRPBF por Infineon e IR2104STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2004STRPBF IR2104STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,59
Topologia Half-Bridge Gate Driver —
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A 0.21 A
Output Sink Current (typ) 0.6 A 0.36 A
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] 680 ns
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) Yes (VCC and VBS)
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
Encapsulamento SOIC-8 8-SOIC (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C -40 C to +150 C
Status RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Nível MSL MSL2 —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-side and low-side referenced output channels
Número de saídas — 2 (high-side + low-side)
Offset Voltage (High-Side, Max) — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typ) — 100 ns
Fall Time (typ) — 50 ns
Turn-On Propagation Delay (typ) — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay (typ) — 130 ns
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) — 150 uA
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V logic
Shutdown Pin — Yes (active-low shutdown input)
Cross-Conduction Prevention — Yes (matched propagation delay)
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes

Fichas técnicas e recursos

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